怎么区分可控硅模块的损坏缘由
来源：www.dy-keyu.com 发表时间：2020-01-19
当可控硅模块损坏后需求查看剖析其缘由时，可把管芯从冷却套中取出，翻开芯盒再取出芯片，调查其损坏后的痕迹，以判别是何缘由。下面介绍几种常见表象剖析。
电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其方位在远离操控极上。
电压击穿。可控硅模块因不能接受电压而损坏，其芯片中有一个光亮的小孔，有时需用扩展镜才干看见。其缘由可能是管子自身耐压降低或被电路断开时发生的高电压击穿。
电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏一样，而其方位在操控极邻近或就在操控极上。
边际损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细微光亮小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制作厂家装置不小心所形成的。它致使电压击穿。
以上4种缘由都是可控硅模块的常见损坏缘由，遇到可控硅模块损坏事情，应镇定剖析。
