内页banner
当前位置:首页 > 新闻信息 > 行业新闻 > 可控硅损坏原因判别哪个参数坏了

新闻中心 News

联系我们Contact Us

丹阳市科宇整流器有限公司

联系人:汤经理

手机:15105287056

联系人:汤小平先生

手机:13952832591

网址:www.dy-keyu.com

地址:丹阳市开发区后王村(101省道西侧)

可控硅损坏原因判别哪个参数坏了

来源:www.dy-keyu.com 发表时间:2020-09-07
当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。
1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,损坏的面积小,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,损坏的面积大,其位置在远离控制极上。
3 电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。
4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
5、G-K 电压击穿。晶闸管 G-K 间因不能承受反向电压()12V)而损坏,其芯片 G-K 间有烧焦的通路(短路痕迹)。
Copyright© 丹阳市科宇整流器有限公司 All rights reserved 备案号: 主要从事于电力调整器厂家,晶闸管生产厂家,可控硅生产厂家等产品,欢迎来电订购.